先由PMOS发展到NMOS，又发展为CMOS，目前CMOS技术渐渐不能胜任需求，又发展出BiCOMS、BCD 和HV-CMOS 等多个变种工艺技术。

NMOS晶体管的构造和工作原理：

【构造】NMOS晶体管由N型衬底（通常是硅）构成，其表面覆盖有一层绝缘层（通常是二氧化硅 SiO2）。在绝缘层上方，有一个P型掺杂区域形成晶体管的源极（source）和漏极（drain），这两个区域之间是一个N型掺杂的通道。上方是一个金属栅极（gate），通常是多晶硅或金属，被绝缘层隔开。

【工作原理】当栅极施加正电压时，形成一个电场，使得N型掺杂区域下面的电子被吸引到表面形成导电通道，从而使得源极和漏极之间形成导通。

当栅极施加零电压或负电压时，导电通道关闭，晶体管处于截止状态，电流无法通过。

PMOS晶体管的构造和工作原理：

【构造】PMOS晶体管与NMOS晶体管基本相反。它也是在P型衬底上形成的，绝缘层和金属栅极同样存在。源极和漏极是N型掺杂的区域，中间是一个P型掺杂的通道。

【工作原理】当栅极施加负电压时，形成的电场使得P型通道下方的空穴（holes）被吸引到表面，形成导电通道，使得源极和漏极之间形成导通。当栅极施加正电压时，导电通道关闭，晶体管处于截止状态，电流无法通过。

大白话解释：电路给NMOS管的gate端施加逻辑1，NMOS就导通，施加逻辑0就NMOS关断；给PMOS的的gate端施加0就导通，施加1就关断。